2月23日、インテルが公式サイトで最先端のIntel 18Aプロセス技術を発表！「準備完了」とのことで、業界騒然！2025年半ばには量産開始、酷睿 Ultra 300 シリーズ“Panther Lake”プロセッサーに初搭載予定。今年後半にはお目見えか！？
省エネ15%アップ！密度30%アップ！
インテルによると、Intel 18AはIntel 3と比較して、ワットあたりの性能が15%向上、チップ密度が30%向上！北米製造の最先端2nm以下ノードとして、顧客に安心の供給体制を提供！
さらに、Intel 18AのSRAM密度は0.021 μm²！Intel 4の0.024 μm²から大幅進化！
TechInsightsの分析では、Intel 18Aの性能値は2.53！TSMC N2は2.27、サムスンSF2は2.19！つまり、2nm級プロセスでIntel 18Aがトップ！TSMC、サムスンと続く！
RibbonFETトランジスタ
Intel 18AはRibbonFET環状ゲート(GAA)トランジスタ技術を採用！電流制御が超精密に！チップ部品の小型化、リーク電流の抑制に貢献！高密度チップには不可欠！
RibbonFETは、ワットあたりの性能、最小電圧、静電気性能を向上させ、パフォーマンスを大幅に向上！帯域幅や閾値電圧も調整可能！HD MIMコンデンサは、電力低下を抑制し、チップの安定動作を強化！生成AIのような高負荷処理に最適！
インテルは昨年、ゲート長6nmのシリコンベースRibbonFET CMOSトランジスタを公開！ムーアの法則をさらに加速させる！
PowerVia背面給電技術
トランジスタ密度が増加すると、信号と電源配線が混雑し、性能が低下！インテルのPowerVia技術は、金属とバンプをチップ背面に再配置！ナノスケールのシリコン貫通ビア(nano-TSV)で効率的な電力供給！
Intel 18Aは、密度とセル利用率を5～10%向上！抵抗による電力低下を低減！ISO電力性能を最大4%向上！背面給電技術でTSMC、サムスンをリード！
サムスンは2026年にSF2Pプロセスで背面給電技術を導入予定。TSMCは2026年または2027年にA16プロセスで導入予定。
エコシステム
業界標準のEDAツールとリファレンスフローをサポートし、スムーズな移行を実現！35社以上のエコシステムパートナーが顧客をサポート！
2025年上半期に量産開始！？
インテルは昨年9月、Intel 18AベースのXeonチップを公開！10月には、Panther Lake CPUサンプルをパートナーに提供！
Intel 18Aは2025年半ばに量産開始予定！早ければ上半期にも！酷睿 Ultra 3 シリーズ“Panther Lake”プロセッサーに初搭載！今年後半に登場予定！
TSMCのN2は2025年末に量産開始予定！関連製品は2026年秋に登場予定！
つまり、Intel 18AはTSMC N2より約1年先行！
High NA EUVでさらに優位に！？
Intel 18Aは、ASMLの最新High NA EUV露光装置を活用し、技術的優位性を拡大！1nm級の最先端プロセスには不可欠！
Intel 18Aの次のIntel 14AでHigh NA EUV露光装置を導入予定！トランジスタ密度は20%向上！
インテルは既に2台のASML Twinscan EXE 5000シリーズ High NA EUV露光装置を購入し、昨年設置・稼働！High NA EUVの経験において、競合他社を少なくとも1年リード！
TSMCはHigh NA EUVの能力に感銘を受けたものの、価格が高すぎるとコメント。既存のEUV能力で2026年末までチップ生産をサポート可能。A16プロセスも標準EUV露光装置で量産予定。High NA EUVはA10プロセスで使用検討中。ただし、TSMCが経験を積むために早期導入を計画しているとの噂も！
インテルはHigh-NA EUVの経験で少なくとも1年のリードを主張！
編集：芯智讯-浪客剑
